工频UPS和高频UPS的差异完整版

器输出电路环节越多,串联系统的可靠性会降低AC输入DC输入IGBT模组IGBT过流峰值小于额定值的2.5倍,抗扰动能力弱可控硅可控硅SCR的过流能力是额定值的20倍以上,抗冲击能力强Galaxy7000&Eaton9395HipulseU逆变器IGBT开关额定电压1200V直流母线电压≤430V逆变器IGBT开关额定电压1200V直流母线电压800V由于开关时电压尖峰的存在,使工频机逆变器IGBT的工作电压裕量远远大于高频机,因此工频机长期运行比高频机可靠。UPS逆变器大多采用1200VIGBTIGBT关断时增加尖峰电压接近300V工频机与高频机的技术原理对比高频机和工频机的效率输入开关整流器逆变器输出开关合计器件损耗器件损耗器件损耗器件损耗总损耗两电平高频机SCR0.8%IGBT1.5%IGBT1.5%SCR0.8%5.6~6.6%Contactor0.3%电感1%电感1%Contactor0.3%工频机无SCR0.8%IGBT1.5%SCR0.8%5.5~7.1%移相变压器1%变压器3%Contactor0.2%两电平变换技术下高频机与工频机的效率分析高频机和工频机的效率关于IGBT及损耗IGBT模块由IGBT本部和续流二极管FWD组成,各自发生的损耗的合计为IGBT模块整体损耗;同时,IGBT的损耗又分为通态(稳态)损耗和交换(开关)损耗。通态损耗可通过稳态输出特性计算;开关损耗可通过集电极电流特性来计算。高频机和工频机的效率通态功耗的计算IGBT通态平均功耗: )通态损耗近似为:Psat=VCE(sat)×IC×DTIC———集电极电流开关损耗计算开关损耗精确计算:测量开关过程中的波形,对其IC和VCE进行积分(积分时间是开通时间Ton或关断时间Toff。开通损耗:关断损耗: 总开关损耗为开通损耗与关断损耗之和,与开关频率f和VCE成正向变化Ton+Toff=1/f