加20V正脉冲P1时,通过隧道效应,电子由衬底注入到G1浮栅,相当于存储了“1”。利用此方法可将存储器抹成全“1”状态。漏极D加20V正脉冲P2,G2栅接地,浮栅上电子通过隧道返回衬底,相当于写“0”。“0”状态:当控制栅加上足够的正电压时,浮空栅将储存许多电子带负电,这意味着浮空栅上有很多负电荷,这种情况我们定义存储元处于0状态。?“1”状态:如果控制栅不加正电压,浮空栅则只有少许电子或不带电荷,这种情况我们定义为存储元处于1状态。?浮空栅上的电荷量决定了读取操作时,加在栅极上的控制电压能否开启MOS管,并产生从漏极D到源极S的电流。2、FLASH存储器基本操作①编程操作实际上是写操作。所有存储元的原始状态均处“1”状态,这是因为擦除操作时控制栅不加正电压。编程操作的目的是为存储元的浮空栅补充电子,从而使存储元改写成“0”状态。如果某存储元仍保持“1”状态,则控制栅就不加正电压。?如图(a)表示编程操作时存储元写0、写1的情况。实际上编程时只写0,不写1,因为存储元擦除后原始状态全为1。要写0,就是要在控制栅C上加正电压。一旦存储元被编程,存储的数据可保持100年之久而无需外电源。②读取操作控制栅加上正电压。浮空栅上的负电荷量将决定是否可以开启MOS晶体管。如果存储元原存1,可认为浮空栅不带负电,控制栅上的正电压足以开启晶体管。如果存储元原存0,可认为浮空栅带负电,控制栅上的正电压不足以克服浮动栅上的负电量,晶体管不能开启导通。?当MOS晶体管开启导通时,电源VD提供从漏极D到源极S的电流。读出电路检测到有电流,表示存储元中存1,若读出电路检测到无电流,表示存储元中存0,如图(b)所示。③擦除操作所有的存储元中浮空栅上的负电荷要全部洩放出去。为此晶体管源极S加上正电压,这与编程操作正好相反,见图(c)所示。源极S上的正电压吸收浮空栅中的电子,从而使全部存储元变成1状态。
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