激光器的发明与发展半导体激光器的发展大致经历了三个阶段:同质结激光器、异质结激光器和量子阱结构激光器。在第一阶段,主要是对于半导体激光器基本理论概念的提出。1953年9月,美国的冯·纽曼(JohnVonNeumann)在他的一篇未发表的论文手稿中论述了在半导体中产生受激发射的可能性。1962年,美国的四个实验室几乎同时宣布研制成功同质结GaAs半导体激光器。但它只能在液氮温度下脉冲工作,毫无实用价值。上述同质结构激光器经历5年的徘徊,1967年,用液相外延的方法制成单异质结激光器,实现了在室温下脉冲工作的半导体激光器。1970年,美国的贝尔实验室制成了双异质结半导体激光器,实现了室温连续工作。由于半导体激光器的诸多突出优点,之后,半导体激光器得到了迅猛发展。其发展速度之快、应用范围之广,是目前任何其他激光器所无法比拟的。*随着半导体激光器性能的不断改进,新的半导体激光材料将激光的波段范围的拓宽,半导体激光器在许多方面得到应用。最早进入实用的是波长为0.83~0.85μm。70年代末,在1.3um和1.55um得到损耗更小的单模光纤,长波长InGaAsP/InP系激光器也达到实用化。? 量子阱技术使半导体激光器产生新的飞跃。随着分子束外延(MBE)和金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)技术的日渐成熟,可以生长出原子尺寸的薄层,使注入的载流子呈现量子效应,这种量子阱激光器与以前的体材料激光器相比,具有更优越的特性,如:阈值电流密度低、电光转换效率高、输出功率大等。并且,通过生长应变量子阱,使得生长非晶格匹配的外延材料得以实现,拓宽了激光器波长范围。量子阱技术的发展,推动了大功率半导体激光器的发展半导体激光器的发明与发展*原子核电子高能级低能级围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值,只能取特定的离散值(离散轨道),这种现象称为电子能量的量子化。电子优先抢占低能级孤立原子的能级*
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