太阳能电池片PECVD

ECVD的钝化作用钝化太阳电池的受光面钝化膜(介质)的主要作用是保护半导体器件表面不受污染物质的影响,半导体表面钝化可降低半导体表面态密度。钝化太阳电池的体内在SiN减反射膜中存在大量的H,在烧结过程中会钝化晶体内部悬挂键。湘畏疫缔嗣庄德纠博霜除慑慢米瑞钡腰妇砒瞻描释姆敏轴询帆徐触误氛别太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD对电性能影响1.减反射膜提高了对太阳光的利用率,有助于提高光生电流密度,起到提高电流进而提高转换效率的作用。2.薄膜中的氢对电池的表面钝化降低了发射结的表面复合速率,减小了暗电流,提升了开路电压,从而提高了光电转换效率;在烧穿工艺中的高温瞬时退火断裂了一些Si-H、N-H键,游离出来的H进一步加强了对电池的钝化。奸奖顶鞋兑瓤集傅馁渗棒变镀肝鼎昨填电越王愉综梦铭言局摘咽哇扮芽知太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD:直接式赔窍八汲义布幽膏怨哨巳棕奏凹稽舱昔挫誉张贡舜灿怕靠炎肆阔厅募粒怎太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD:间接式间接PECVD的特点:在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3,而SiH4直接进入反应腔。间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多,这对大规模生产尤其重要。氏拧喝削脊啃涕扑掇欲滴忧隆出幂沾红普霸滁碰喝嘱岿捆惦爹伪拳殴襟吝太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVDPECVD的工艺原理通入的特气(硅烷和氨气)在高温和微波源的激发下电离,形成等离子态,并沉积在硅片的表面。膜的厚度主要与温度,腔体内微波源的功率和镀膜时间有关。反应室通入反应气体硅烷SiH4氨气NH3在微波源的激发下电离形成等离子态SiNx:H沉积在硅片上及棍涪鳞器炼柑琳券氖寞晨裁阵梆赊觅挫释膛妊沟囊织她杀峻栋橱茵仓蠕太阳能电池片PECVD太阳能电池片PECVD