前的电池片Rs有了一定的改善,但不是很大,不过毕竟有了改善。由于采用了密栅设计,我们认为此改善主要来自于横向电阻的改善,当然,使用新浆料所带来的接触电阻的改善也是可以肯定地,但毕竟比较小。另外,相对于E-CELL电池片,前两者的Rs明显差很多,而E-CELL电池片,不论是体电阴率还是方块电阻都要比另外两者差很多。由以上比较,我们可以得出以下结论:在组成串联电阻Rs的四个因素中,它们对总体Rs的影响顺序依次为:体电阻Rb,接触电阻Rc,横向电阻Rd和电极电阻Rm。莇Rs的改善对FF影响主要表现在:随着Rs减小,电池片本身的内耗也随之减小,从而使FF得到提高。羃螁2.2Rsh羈Rsh在I-V曲线图上的直观意义是当V=0时,I-V曲线斜率的倒数的绝对值,如式4所示。而其本质是则是由于材料本身及生产工艺等原因造成的种种漏电通道。所以,理论上讲我们希望其越大越好。蒇由工艺过程引入的漏电通道主要有以下六种:莄1>Linearedgeshunts蒃2>Nonlinearedgeshunts螇3>Cracksandholes蒆4>Schotty-typeshunts螅5>Scratches袁6>Aluminumshunts螀由材料本身引入的漏电通道主要有以下三种:薆1>binativecrystaldefects袂2>Inversionlayeratprecipitates薃3>MacroscopicSi3N4inclusions蕿蚆Rsh是与Io紧密联系在一起的。实际上它们描述的是同一个现象:光生电流的非常规复合损失。只是Rsh具有更丰富的内涵及更直观的表现。芃在日常生产中,我们发现相对于Rsh,Rs的调控性更好些,即Rs对烧结及其他工艺参数比如印刷质量更敏感些。更实际的情况是这样的:在日常的工艺过程中,对于Rsh并没有十分明确的调节对象(就像细栅线的高宽比一样),工艺人员往往束手无策。
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