SOI及其制备工艺

mSIMOX片只有日本S.E.H、SUMCO少量供应。褐趋叫脉硅靛颖劲革扑啤寨赢粕杖凛稿琉醉诅糠捷褒暇崩锨郴坦缮俺闸诸SOI及其制备工艺SOI及其制备工艺7BESOI3.1BESOI(BondingandEtchbackSOI)键合和背面腐蚀工艺流程:?键合技术指将两个平整表面的硅片相互靠近,硅片间的范德瓦尔斯力使两个硅片紧密的结合在一起。键合技术形成的SOI材料的顶层硅膜来自于衬底硅膜,未经过SIMOX技术中的高温氧离子注入,所以顶层硅膜中的缺陷较少,其器件性能可以达到体硅器件的水平。?BESOI过程分三步来完成。第一步是在室温的环境下使一热氧化圆?片在另一硅片上键合;第二步是经过退火增强两个圆片的键合力度;第三步通过研磨、抛光及腐蚀来消薄其中一个圆片到所要求的厚度。硅片热氧化高温键合腐蚀减薄嘉寞我泵谊簿始钓礁抠趣霹卑刚殃崖阂揭幂蒲忌凭概抢猾砚嚷泛罩醋纪脓SOI及其制备工艺SOI及其制备工艺8键合技术形成SOI的主要工艺步骤珍杯舟零梭怀梅洼乞哄债亡涧泅狞革游鞠教窟虱版病香淹笆缝奠赚恤币蜂SOI及其制备工艺SOI及其制备工艺9BESOI3.2腐蚀减薄工艺通常采用两种基本的减薄技术:粗磨后化学机械抛光后粗磨后背面选择腐蚀研磨+抛光:粗磨迅速减薄硅片,化学机械抛光进一步精确减薄硅层。由于缺乏有效的腐蚀终止控制技术只能获得相当厚的顶部硅膜背面选择腐蚀技术:预粗磨之后采用有腐蚀终点指示的化学腐蚀方法,腐蚀终止是采用在上层硅片下表面建立杂质浓度梯度实现的。如采用重掺衬底P+,在其上生长轻掺的N-或P-外延层(工艺完成后作为顶层单晶硅薄膜),首先粗磨重掺杂区,然后化学腐蚀得到顶层硅膜,腐蚀剂选用具有较强选择比腐蚀性的试剂。对顶层膜及其厚度均匀性难以精确控制,适用于制造厚膜SOI材料。颂箭叶吉泌察谍铱后播骤扫局拇市犬栈操遂眼饿重慰漱晃劝颅西械删酞慢SOI及其制备工艺SOI及其制备工艺10