NTC热敏电阻

的低温NTC热敏电阻器,常用的工作温区有4~20K、20~80K、77~300K等三档Р以氧化钒为基的临界负温度系数热敏电阻器,在临界温度附近,阻值变化可高达1000倍Р近年来随着厚薄膜工艺的成熟和集成技术的发展,又制成了硼、碳化硅溅射薄膜NTC热敏电阻器。Р5.4.1 NTC热敏陶瓷半导体的导电机理РNTC热敏陶瓷半导体:由一种或一种以上的过渡金属氧化物为主的烧结体?其阻温特性:由这些氧化物晶体的导电机制决定Р下面就以能带结构和晶体结构为基础,讨论NiO等过渡金属氧化物的导电机理。Р1. 跳跃式导电РNiO具有立方对称的氯化钠型结构,是一种典型离子晶体,Ni是一种易变价的过渡金属。Р在正常温度下,纯NiO晶体是良好的绝缘体,其室温电阻率可高达5×1014Ω·cm。Р当NiO中有氧过剩或掺入一价的Li1+离子时,它的电导率就急剧增加,呈现P型半导体的特性。?如在NiO掺入Li时,Li1+离子取代了Ni2+离子,并在它的取代位置上产生了一个有效负电荷。为了保持整个晶体的电中性,它就把邻近位置上的Ni2+离子转变成Ni3+离子而形成Li1+Ni3+离子对。Р这个Li1+Ni3+离子对所对应的能级和Ni2+能级非常靠近,是一个受主能级,当受主Li1+Ni3+受到激发时它就吸收附近的Ni2+离子的一个电子形成Li1+Ni2+而把这个Ni2+离子变成Ni3+离子,由于Ni是易变价元素,这种变换可以继续下去,使Ni3+在整个晶体的氧八面位置中迁移,相当于空穴在晶体中运动。Р当受到电场的定向作用时就产生电导,其传导电流的方式为:? Ni3++Ni2+ → Ni2++Ni3+ (5—4—1)? ? 这种通过电子变换的导电方式和在Si、Ge等元素半导体中的导电方式并不一样,电导并不是由于载流子(空穴)在满带中运动的结果,而是在能带之间的跳跃,因此可以把这种电导叫跳跃式电导或称为跳跃电导模型。