光电探测器—光敏电阻受到光照的半导体的电导率σ发生变化或产生光生电动势的现象称为内光电效应。由于光照而引起半导体的电导率σ发生变化的现象称为光电导效应。利用光电导效应原理而工作的探测器称为光电导探测器,作为半导体材料的一种体效应,光电导效应无须形成p-n结。光照越强,光电导材料的电阻率越小,故光电导材料又称为光敏电阻。光电导效应光电导效应价带导带电子空穴Eg价带导带电子空穴Ei施主本征光电导杂质光电导光电导效应电子空穴式中e是电子电荷量如果半导体的截面是A,则电导G为光电转换原理LWHx光光功率在材料内部沿x方向的变化率为。u光敏电阻实物图在一块均匀光电导体两端加上电极,贴在硬质玻璃、云母、高频瓷或其他绝缘材料基板上,两端接有电极引线,封装在带有窗口的金属或塑料外壳内。结构三种结构形式三种结构形式梳型结构在玻璃基底上面蚀刻成互相交叉的梳状槽,在槽内填入黄金或石墨等导电物质,在表面再敷上一层光敏材料。如图所示。
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