困难。这是由于 A1N 与 InN 两种材料在热稳定性和生长温度等方面存在较Р 大的差异,AlN 需要在 900 oC 的生长条件,而 InN 在 600 oC 左右就会分解。在Р 高温下生长有利于减小样品中的杂质和缺陷,从而提高样品的结晶质量,但是却Р 容易使 AlInN 造成相解,这就使得我们很难生长出高质量的 AlInN 势垒层。所Р 以自从 AlInN 提出以来,关于 AlInN/GaN 异质结的研究主要集中在生长条件的Р 摸索和生长工艺的提升方面,而有关二维电子气输运性质的研究比较少。近几年,Р 参考 AlGaN/GaN 异质结中提高迁移率的方法,在 AlInN/GaN 异质结中通过引入Р AlN 插入层,使得 AlInN/GaN 质量得到了很大的提高,在保持较高的载流子浓Р 度的前提下,低温霍尔迁移率也达到了104 cm2/Vs[14],这使得 AlInN/GaN 异质Р 结受到了更为广泛的关注。然而与 AlGaN/GaN 异质结的性质相比,AlInN 作为Р 势垒层的异质结整体的性能还不够稳定,并且也不够突出[15],如图 1-4 中所示,Р AlInN/GaN 异质结的载流子浓度明显高于 AlGaN/GaN 异质结中的载流子浓度,Р 而且两种材料中的载流子浓度基本不随温度变化,符合二维电子气的特性。但是Р AlInN 作为势垒层时,霍尔迁移率要明显低于 AlGaN 作为势垒层时迁移率的值Р [15],所以想要利用 AlInN 替代 AlGaN 来作为势垒层,我们还需要进一步提高Р AlInN/GaN 异质结的性质。Р 1.3.2 AlInN/GaN 异质结的电输运性能Р 在 AlGaN/GaN 异质结中,通常采用在 AlGaN 势垒层与 GaN 层之间插入很Р 薄的 AlN 插入层来减小界面散射和合金无序等散射,从而提高载流子的迁移率。Р 5 Р Р万方数据
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