Р本节内容预告Р1、光电发射效应?2、光电导器件? 光敏电阻的原理与结构? 光敏电阻的基本特性? 光敏电阻的变换电路? 光敏电阻的应用实例Р光电发射效应Р当物质中的电子吸收足够高的光子能量,电子将逸出物质表面成为真空中的自由电子,这种现象称为光电发射效应或外光电效应.Р只有光子能量大于光电发射材料的光电发射阈值,才有电子飞出光电发射材料进入真空.Р导带Р禁带Р价带Р对于金属材料有:Р对于半导体材料,导带中的电子Р对于半导体材料,价带中的电子Р对于半导体材料,光电发射长波限为:Р光电发射器件具有不同于内光电效应的特点:?1、光电发射器件中的导电电子可以在真空中运动,因此,可以通过电场加速电子运动的动能或通过电子的内倍增系统提高光电探测灵敏度,使它能够快速探测极其微弱的光信号,成为像增强器与变像器技术的基本单元。?2、易制作大的面积均匀的光电发射器件,使其在光电成像器件方面有利,一般真空光电成像器件的空间分辨率要高于半导体光电图像传感器;?3、光电发射器件需要高稳定的高压直流电源设备,使整个探测器体积庞大,功率损失大,不适于野外操作,造价高;?4、光电发射器件的光谱响应范围一般不如半导体器件宽。Р作业:?1、试计算100W标准钨丝灯在0.2sr范围内的光通量;?2、若甲乙两厂生产的光电器件在色温2856K标准钨丝灯下标定出的灵敏度分别为:Р比较两厂的光电器件的灵敏度高低。Р3、已知本征硅材料的禁带宽度1.2eV,求本征吸收波长。Р光电导器件Р某些物质吸收光子的能量产生本征吸收或杂质吸收,从而改变物质电导率的现象,称为物质的光电导效应。?利用具有光电导效应的材料(本征半导体硅、锗等,杂质半导体、硫化镉、硒化镉、氧化铅等)可以制成电导率随入射光度量变化的器件,称为光电导器件或光敏电阻。?光敏电阻具有体积小、坚固耐用、价格低廉、光谱响应范围宽等优点,广泛应用于微弱辐射信号的探测领域。
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