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基于硅基工艺射频LDMOS器件的研究和设计

上传者:徐小白 |  格式:pdf  |  页数:68 |  大小:2714KB

文档介绍
以直接完成从芯片工艺制造到性能测试的环节,根据软件模拟结果对比设计目标对器件结构及参数进行修正,直到符合性能指标。在大大降低开发成本的同时节约了大量的时间, 缩短了开发周期。 Sentaurus TCAD 包括一系列的子软件包,主要有:虚拟化集成设计平台(Sentaurus Workbench ,SWB ) [15] ;工艺流程编辑工具( Sentaurus Ligament ) [16] ; 工艺流程仿真工具(Sentaurus Process ,SPROCESS )[17] ; 器件结构编辑工具( Sentaurus Structure/Device Editor ,SSE/SDE ) [18] ;器件结构网格划分工具( Sentaurus Mesh , SNMESH );器件物理特性仿真工具( Sentaurus Device ,SDEVICE ) [19];仿真结果查看工具( Inspect 、Tecplot ) [20,21] 。图 1-1 Sentaurus TCAD 的典型仿真流程图 Sentaurus TCAD 工具的主要设计仿真流程如图 1-1 所示,主要分为两条路径。一条是基于工艺流程制造的仿真,先经过 Sentaurus Ligament 编辑工艺流程产生工艺流程制造控制文件,再经过 SPROCESS 进行工艺模拟仿真生成器件结构,接着经过 SNMESH 划分网格, 给到 SDEVICE 进行电学特性仿真, 最后调用 Inspect 、Tecplot 查看结果;另一条是直接通过 SDE 生成器件结构,再进行器件的电特性等仿真。本课题在对所设计的射频 LDMOS 器件进行建模和仿真时,主要用到了器件结构编辑工具( SDE )和器件物理特性仿真工具( SDEVICE );在对仿真结果进行查看和分析时用到了 Inspect 和 Tecplot 工具。万方数据

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