高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率 du/dt 过高结温较高光直接照射硅片,即光触发光触发可以保证控制电路与主电路之间的良好绝缘而应用于高压电力设备中之外,其它都因不易控制而难以应用于实践,称为光控晶闸管( Light Triggered Thyristor--LTT ) 只有门极触发(包括光触发)是最精确、迅速而可靠的控制手段(2 )晶闸管的基本特性 a.静态特性: 承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通; 承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通; 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用; 要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下。晶闸管的伏安特性: 第I象限的是正向特性; 第 III象限的是反向特性; 图1 -5 晶闸管工作条件的实验电路图1 -6 晶闸管的双晶体管模型电力电子技术教案 17 I G =0时,器件两端施加正向电压,正向阻断状态,只有很小的正向漏电流流过,正向电压超过临界极限即正向转折电压 U bo,则漏电流急剧增大,器件开通; 随着门极电流幅值的增大,正向转折电压降低; 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿; 晶闸管本身的压降很小,在 1V 左右; 导通期间,如果门极电流为零,并且阳极电流降至接近于零的某一数值 IH以下,则晶闸管又回到正向阻断状态。 IH称为维持电流。晶闸管上施加反向电压时,伏安特性类似二极管的反向特性。晶闸管的门极触发电流从门极流入晶闸管,从阴极流出, 阴极是晶闸管主电路与控制电路的公共端,。门极触发电流也往往是通过触发电路在门极和阴极之间施加触发电压而产生的。晶闸管的门极和阴极之间是 PN 结 J 3,其伏安特性称为门极伏安特性。为保证可靠、安全的触发,触发电路所提供的触发电压、电流和功率应限制在可靠触发区。 b.动态特性图1 -7 晶闸管的伏安特性 I G2>I G1>I G
全文预览
