因而使用比较广泛。但是,它存在网侧功率因数不高、导致电网电压波形畸变、调节性能差等不足。随着电力电子技术的发展,功率半导体开关器件性能不断提高,已从早期广泛使用的半控型功率半导体开关,如普通晶闸管(SCR )发展到如今性能各异且类型诸多的全控型功率开关,如双极型晶体管(BJT ) 、门极关断晶闸管(GTO)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT ) 、集成门极换向晶闸管(IGCT ) 、功率场效应晶体管(MOSFT) 以及场控晶闸管(MCT) 等。而 20世纪 90年代发展起来的智能功率模块(Intelligent Power Module, IPM )开创了功率半导体开关器件新的发展方向[5]。功率半导体开关器件技术的进步,促进了电力电子变流装置技术的迅速发展, 出现了以脉宽调制(Pulse Wi dth Modulation, PW M) 控制为基础的各类变流装置, 如变频器、逆变电源、高频开关电源以及各类特种变流器等,这些变流装置在国民经济各领域中取得了广泛应用。但是,目前这些变流装置很大一部分需要整流环节以获得直流电压,而传统的整流环节会造成严重的电网“污染”。因此,作为电网主要“污染”源的整流器,首先受到了学术界的关注,并开展了大量研究工作。其主要思路就是将 PWM技术引入到整流器的控制之中,使整流器网侧电流正弦化且可运行于单位功率因数[6]。经过几十年的发展, PW M 整流器技术已日趋成熟。PWM 整流器主电路已从早期的半控型器件发展到如今的全控型器件;其拓扑结构已从单相、三相电路发展到多项组合及多电平拓扑电路;功率从千瓦级发展到兆瓦级。 PWM 整流器可分为电压源型 PW M 整流器和电流源型 PWM 整流器两种,与电流源型整流器相比,电压源型整流器直流侧脉动小,输入电流连续而且简便易行,因此电压源型 PWM 整流器成为当今主要研究对象。电压源型PWM 整流-2-
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