InGaAs 、、 GaAs GaAs , ,远红远红外外 TeCdHg TeCdHg 3 3。按照器件结构分类。。按照器件结构分类。 PD PD 、、 PIN PIN 、、 APD APD 、、 MSM MSM 4 4。按照内部增益分类。。按照内部增益分类。无: 无: PD PD 、、 PIN PIN 、、 MSM MSM 。。有: 有: APD APD §14.3 光电探测器§14.3 光电探测器 n n凡是把凡是把光辐射量光辐射量转换为转换为电量电量( (电流或电压电流或电压) )的的光探测器光探测器, ,都称为都称为光电探测器光电探测器。。 9 n n (1) (1) 依材料分类依材料分类 n n无论是直接带隙半导体材料还是间接带隙半无论是直接带隙半导体材料还是间接带隙半导体材料,都能够用来制备半导体光电探测导体材料,都能够用来制备半导体光电探测器件。器件。而半导体发光器件要求半导体材料必须是直接带隙半导体材料。因此,在这一点上,光电探测器件对材料的要求比发光器件宽容一些。材料有四族、 II-IV 族等半导体,例如Ⅳ族的 Si、 Ge 和 SiGe 合金, III-V 族的 GaAs 、 InGaAs 、 InGaAsP 、 InGaN 等。异质结材料能够提供透明的窗口、完全的光学限制和优异的导波特性,异质结构的光电探测器性能超群,显示出了更多的好处, 10 ??按器件响应波段分按器件响应波段分常用的光电接收器材料常用的光电接收器材料 n常用光电接收器的材料有硅锗等 n右图为几种常用材料的响应曲线 n光电接收器的基本性能:响应波长,敏感度,噪声性能等 Wavelength nm 500 1000 1500 Silicon Germanium InGaAs Quantum Efficiency = 1 0.1 0.5 与书上图6 与书上图6 - -8相同 8相同
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