果;蓝色表示测试的结果。 3.2 说明 1 、MOX4A 单板在测试的时候,没有去掉 VRM 和芯片,会对阻抗测试的结果有一定的影响; MOS8B 单板为裸板测试,没有 VRM 和芯片的影响,因此仿真和测试结果拟合结果更好一些。 2、低频段网络分析仪内部的噪声对波形有一定的影响。 4 总结 1 、我们对比了 Siwave 软件仿真结果和阻抗测试的结果,两者能够很好的拟合,特别是在低频段,从而证明了真软件的精度,在以后应用中,我们可以使用 Ansoft SIWAVE 进行 PDN 阻抗分析; 2 、探针到端口之间的相对长度会影响测试的精准度。这是因为网络分析仪校准的时候只能校准到端口,从端口到探针头的一段线长是无法校准的,因此,在测试的时候,我们需要尽量减小这一段的长度,减小误差。 ANSYS 2011 中国用户大会优秀论文 首先,需要使这个距离小于所测量最高频率波长的 1/20 ; 对于 FR4 ,Fmax=0.2/L,Fmax 单位 GHz , L 单位 inch 。 3 、考虑 VRM 和芯片封装电容以及 die 电容对阻抗的影响。 VRM 是 PDN 系统地重要组成部分,其起作用范围一般为 DC-100KHz ; VRM 在不同负载条件下测试得到的阻抗曲线如下图所示: 图八 VRM 阻抗曲线从上面的曲线可以看出, VRM 的负载越大,其输出阻抗越小;如果 VRM 不上电,其特性与串联的 RLC 模型近似;如果上电,其特性与串联的 RL 模型近似,所以在进行无源阻抗测试的时候一定要注意 VRM 的影响。 VRM 主要影响低频阻抗,而芯片封装电容和 die 电容会影响高频的阻抗。[参考文献] : [1] ANSOFT CORPORATION.SIwave4.0 user’s guide. [2] 睢诗菊.Power Integrity. [3] PDN 阻抗测试方法.
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