冲电路的主要作用是什么? 分析?RCD?缓冲电路中各元件的作用。 答:缓冲电路又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt?或者过电 流和 di/dt,减小器件的开关损耗。在电力电子电路中,用于改进电力电子器件开通和关断 时刻所承受的电压、电流波形。缓冲电路分耗能型和馈能型。 RCD?缓冲电路中: 开通时, 电容?C s?经?R s?放电, R s?起到限制放电电路的作用; 关断时, 负载 电流经二极管?VD s?从?C s?分流,使电压的上升率?du/dt?减少,抑制过电压。 11.?晶闸管串并联使用时需要注意哪些事项? 答: 由于器件的特性的分散性, 同型号的器件的伏安特性也会存在差异, 会导致串联时电压 分配不均匀。为此在晶闸管串联时必须采用均压措施。 晶闸管的静态和动态参数不一致, 在相同的压降下, 使各并联的器件流过的电流相差很 大。为了使并联器件达到电流平均分配,除选用特性比较一致的器件外, 应采用均流措施。 12.? 晶闸管两端并联阻容吸收电路可起哪些保护作用? 答:晶闸管两端并联阻容吸收电路可起如下保护作用:1.过电压保护;2.动态均压;3?抑制 电压上升率?du/dt 13.? 为什么电力?MOS FET和?IGBT 较容易并联?在并联使用时需要注意哪些事项? 答:电力 MOS FET? 的通态电阻 R on具有正温度系数,电流增大,发热增大,通态电阻也随 之增大,使电流下降。在?MOS FET并联使用时具有一定的电流均衡能力。 IGBT? 的通态压降一般在 1/2~1/3? 额定电流以下的区段具有负的温度系数,在以上区域 具有正温度系数,因而?IGBT 在并联时,也具有一定的电流自动均衡能力,易于并联使用。 在实际并联使用 MOS FET? 和IGBT? 时,在器件的参数特性选择、电路布线和散热条件 5? 方面尽量保持一致。
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