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新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展

上传者:相惜 |  格式:docx  |  页数:25 |  大小:31KB

文档介绍
影响复合材料的力学性能和加工性能。因此,获得较小晶粒的硅铝合金是材料制备过程的关键。金属基复合材料金属基复合材料除了具有基体金属或合金具备的良好的导热、导电性能,抗苛刻环境能力,抗冲击、抗疲劳性能和断裂性能以外,MMCs还具有高强度、高刚度,出色的耐磨性能和更低的热膨胀系数(CTE)。基体材料的改变,增强体材料、尺寸、形状和基体材料的改变,增强体材料、尺寸、形状和分布的几乎没有穷尽的组合,使MMCs具有多样性。一般电子封装用增强体有纤维、晶须和颗粒几大类。用于电子封装材料时,对增强体的要求是[12]: ①较低的CTE;②高的导热系数; ③与基体材料具有良好的相容性;④低密度;⑤低成本。用于电子封装的金属基复合材料主要是Cu基和Al基复合材料,常用的增强体[13] 包括:C、B纤维、金刚石、碳化物(如SiC,TiC)、氮化物(如AlN、Si3N4)和氧化物(如轻质电子封装材料发展趋势简介微波应用比低频率模拟或数字电子产品有更高的封装要求。在半导体微波应用中选用的砷化镓主动微波完整回路以及其他器件,需要一个合适的密封环境。由于具有优良的射频筛选性能,所以通常来说,我们选用陶瓷作为金属外壳。其中铅的使用是为了尽量减少介电损失。最重要的是,包装电路要做到严格阻抗匹配。微波回路的辐射射频能量可能有几个波长的差别,所以电学性能和物理性能决定了其个体成分的表现。因此,最先进的GaAs单片微波集成电路可以有十个典型的主动装置,其数位微处理器可包含多达一千万个晶体管。由于具有相似的高、低频率电子特性,电子封装的另一个研究方向是如何实现良好的热量管理。当半导体结合处温度升高时,失败率会显著增加,所以设备必须保持足够的冷却。温度每增加10℃,砷化镓设备寿命的下降会高达三倍。为促进更良好的散热,在包装时,会加入高热传导性的散热片或者“冷板。良好的散热也需要使电路元件的包装更密集,从而被制作的更小。

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