蚀。二氧化硅的腐蚀速度与氧化层的质量有关,在40?下大约为150—200nm/min。腐蚀过程十分重要,不当的操作可能会造成硅片的报废。因而在操作过程中,要将硅片洗净,经常在显微镜下观察是否腐蚀干净,若出现钻蚀、脱胶等不良情形,要及时采取相应的措施,甚至返工。7.去胶在腐蚀未完成之前,硅片表面的胶膜都有保护作用,不能划伤。在腐蚀完成后,胶膜要去除干净,以便进行下一个工序。二氧化硅上的胶膜,可以采用浓硫酸煮,高温碳化的方法。也可以用?号液煮沸,放置冷后,冲净待用。铝层上的胶膜,采用氧化去胶的方法。光刻是微电子技术的核心工艺之一,一个器件的制作,需要多次不同的光刻过程才能完成,光刻决定了芯片的表面质量。光刻质量简而言之是,光刻完成后必须将该去除的地方(窗口)要完全去除,其余的地方要完整保留,边缘完整清晰。(三)扩散在高温条件下,利用二氧化硅对杂质的掩蔽作用,让有用的杂质通过光刻开出的窗口进入硅片中,形成pn结。例如在N型材料上—8进行硼扩散,形成P型区,或在P型材料上进行磷扩散,形成N型区。扩散的方法有很多,如固一固扩散、液态液扩散。在我们的实验中硼扩散和磷扩散均采用片状源扩散。扩散过程分两步进行,即预扩散和主扩散,两步扩散才能获得合适的表面浓度和结深。预扩在温度900?左右的氮气氛下进行,时间约15分钟。预扩过程中,外部始终保持恒定的杂质源浓度,即恒定表面源扩散,杂质服从余误差分布,预扩在硅片的表面形成一个浓度很高的P型层(对硼扩散),这层的厚度很小,约100nm,杂质浓度由扩散温度下的杂213质固溶度决定,可达10个原子/Cm。但这样的P型扩散层不适于作器件,还必须把浓度降低,P型层的厚度(结深)还需增大,为此还需进行一次主扩散,使硼杂质来一次再分布。主扩散在1130?下进行,时间35分钟左右,这样,P型18层厚度(即pn结的深度—结深Xj)约2.1。表面浓度约5?10,—
全文预览
