左移后DX=0930HР XCHG AL,AH?;交换, AX=0346HР SUB AH,AH ;AX=0046H,第2次余数做被除数Р MOV?CL,10 ;CL¬10Р DIV CL ;AX/10=4…6, 结果AL=4,AH=6РADD?DL,AL?;4加到DL上,使DX=0934HР MOV?CL,4Р SHL DX,CL ;DX左移4次, DX=9340HР ADD?DL,AH?;最后一次余数加到DX上, DX=9346HР MOV?CX,DX ;最后结果:AX=9346HРEXIT: RETРBIN_BCD ENDPР第五章Р1、内存分为随机存取存储器RAM和只读存储器ROM。RAM的特点:可随机写入和读出,访问速度快,但断电后内容会全部丢失,即具有易失性。存放在ROM中的内容不会因断电而丢失,它属于非易失性存储器,计算机只能对ROM读出不能进行写入,改写要用专门的编程器。Р3、静态RAM电路结构复杂,集成度较低,功耗也大,但存取速度很快,访问时间可小于10ns。不适合做容量很大的内存,主要用作高速缓存(Cache),并用于网络服务器、路由器和交换机等高速网络设施上。Р动态RAM电路简单,但存取速度慢,电容上存储的信息会丢失,需要刷新。容量大,价格便宜,PC机上的内存都采用DRAM,而且做成内存条,便于扩充内存容量。还被用在其它需要大量存储的场合,如激光打印机、高清晰数字电视等。Р4、动态RAM存储单元由1个MOS管和1个小电容C构成。C充满电荷便保存了信息1,无电荷为0。电容C上保存的电荷会逐渐泄漏,使信息丢失。为此,要在DRAM使用过程中及时向保存1的那些存储单元补充电荷,也就是对C进行预充电,这一过程称为DRAM的刷新(refresh)。读操作是读出电容C上的电荷转换成的0或1的逻辑电平,并非对电容C进行充电。Р15、8,A10~A0,A19~A11,4
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