~36V范围内连续输出电压。需要注意的是,在选择电阻时必须保证阴极电流要大于1mA,以保证TL431正常工作。TL431内部原理图如图3-3-4示:图3-3-4TL431内部原理图2.3.3高频变压器高频变压器是开关电源的重要组成部件,它不仅是能量转换和传输的主要器件,而且能够实现输入与输出的电器隔离。其性能的好坏不仅影响变压器本身的效率和发热量,而且还会对开关电源的整体性能和可靠性产生极大的影响。因此,全面分析设计变压器的材料、损耗、磁通密度、制造工艺就显得尤为重要。当控制IC输出一个导通脉冲到MOSFET的栅极时,MOSFET饱和导通,变压器初级绕组中电流逐渐增加,而此时初级绕组产生的感应电压使输出回路的整流二极管截止,次级绕组中无电流,能量以磁能的形式存储在初级绕组中。当截止脉冲到来时,根据楞次定律,次级产生与之前方向相反的感应电压,使整流二极管立即导通,次级线圈产生的感应电压向输出滤波电容充电,即把能量从初级绕组传递到次级的输出电容中,并给负载供电。变压器周而复始的经历上述能量的存储转换过程,从而实现了能量的传输。如下图3-3-5所示:图3-3-5高频变压器2.3.4硬件参数设计(1)功率MOSFET的选择忽略变压器漏感尖峰电压,功率MOSFET的最小电压应力为:考虑到变压器漏感产生的尖峰电压,并留有裕量,取VDSS为800V或者1000V的管子,本设计中Ipk=2.77A,选用IRG4PH30K.1200V/10AMOSFED。R5根据经验在10—20之间皆可这里选择15。(2)反馈电阻的计算取R14为1%精度的电阻,其值为1,则实际检测电流为Is=2.5V/1=2.50mA。则?取=470,TL431的=20mA,PC817的=3mA,则上的压降为:由PC817芯片资料可知,其发光二极管的正向导通压降典型值为1.2V,则上的压降:,又知流过的电流:,因此的值为:
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