晶体具有良好的电光性质。但是,由于LGS晶体同时具有旋光性质,使电光应用复杂化。因此,多年来人们几乎对这一交互效应的研究未曾涉足。Р目前,实用的电光晶体仅有DKDP和铌酸锂(LN)晶体两种,均有一定局限,几十年来,实用电光晶体的研究没有重大突破。基于对晶体物理交互效应的研究,我们提出了在旋光效应存在条件下进行电光器件设计并制作了实用的LGS电光Q开关。该器件在大功率脉冲激光器上试用成功。这一成果,于2002年12月通过了由许祖彦院士为组长、沈德忠、顾真安院士为副组长,包括闵乃本院士在内的鉴定委员会的鉴定。鉴定委员会确认:晶体材料国家重点实验室“应用具有旋光性的硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体制成了电光Q开关。经测试和应用表明,LGS晶体电光Q开关的各项性能指标均与目前常用的磷酸二氘钾(KD2PO4,DKDP)晶体Q开关器件相当;使用过程中,器件调整方便,对旋转方向和温度变化不敏感,晶体不潮解,对使用环境要求低;其抗光伤阈值为铌酸锂(LiNbO3,LN)晶体的9.5倍,是DKDP晶体的1/3。该晶体电光Q开关适用于中高功率的脉冲激光器”。“该实验室在晶体物理研究的基础上,提高了充分利用晶体的复合功能及不同物理效应的交互作用,开发旋光-电光器件的新思路,突破了旋光晶体不宜用于电光Q开关的传统观念,开拓了晶体的旋光-电光交互作用及其应用的新研究领域”。“LGS晶体电光Q开关是一种新型旋光-电光器件。首次在旋光效应存在的条件下,成功地制作了实用的电光器件,为国际首创。制作的Q开关性能良好,有广阔的应用前景。鉴于LGS晶体电光Q开关是一项具有我国自主知识产权的创新成果,在研发的基础上,具有良好的产业化前景。”РLGS晶体电光Q开关的研制成功,还为利用晶体交互效应开发新功能晶体材料开辟了新的思路。目前,这一晶体及其实用化的研究工作正在逐步深入。Р立方氮化硼新制备技术的研究
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