(说明:1为高电平、0为低电平)Р 指令1:清显示,指令码01H,光标复位到地址00H位置。Р 指令2:光标复位,光标返回到地址00H。Р 指令3:光标和显示模式设置 I/D:光标移动方向,高电平右移,低电平左移 S:屏幕上所有文字是否左移或者右移。高电平表示有效,低电平则无效。Р 指令4:显示开关控制。 D:控制整体显示的开与关,高电平表示开显示,低电平表示关显示 C:控制光标的开与关,高电平表示有光标,低电平表示无光标 B:控制光标是否闪烁,高电平闪烁,低电平不闪烁。Р指令5:光标或显示移位 S/C:高电平时移动显示的文字,低电平时移动光标。Р指令6:功能设置命令 DL:高电平时为4位总线,低电平时为8位总线 N:低电平时为单行显示,高电平时双行显示 F: 低电平时显示5x7的点阵字符,高电平时显示5x10的点阵字符。Р 指令7:字符发生器RAM地址设置。Р 指令8:DDRAM地址设置。Р指令9:读忙信号和光标地址 BF:为忙标志位,高电平表示忙,此时模块不能接收命令或者数据,如果为低电平表示不忙Р 指令10:写数据。Р指令11:读数据。Р与HD44780相兼容的芯片对应的操作时序表如表1.3所示。Р读状态Р输入РRS=L,R/W=H,E=HР输出РD0—D7=状态字Р写指令Р输入РRS=L,R/W=L,D0—D7=指令码,E=高脉冲Р输出Р无Р读数据Р输入РRS=H,R/W=H,E=HР输出РD0—D7=数据Р写数据Р输入РRS=H,R/W=L,D0—D7=数据,E=高脉冲Р输出Р无Р 表1.3 基本操作时序表Р读写操作时序如图1.3、1.4所示。Р图1.3表示读指令的时序图,通过对RS指令电位的拉高或拉底来进行表示RS的读指令操作,R/W通过改变电位的变化进行读指令或写指令,使能E进行功能的通过性,DB0-DB7表示数据线进行数据的输入与输出。Р图1.3 读操作时序
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