电流在此范围之内,一般不大于10mA,C11为电源滤波电容,应选择高频性能好的电容,考虑到APFC电路输出电压具有100Hz的纹波,C11应具备一定的容量。Р的电流为10mA,则Р电容C11可选47μF~100μF、25V高频特性好的电解电容,或电解电容并联高频性能较好的瓷片电容。Р图5-7 IR21531控制芯片原理结构框图Р(2)R9与C7的选择Р R9与C7决定了逆变电路的工作频率,其参数设定可以参阅IR21531芯片的数据手册。电子镇流器的工作频段一般设定在24kHz~31kHz或42kHz~90kHz之间,逆变电路通常可取30kHz或50kHz,以此可以选择РR9与C7。Р(4)VD7与C13的选择Р VD7与C13的作用是为高端的MOSFET提供驱动电源,自举元件VD7与C13的选择可以参考IR公司相关设计指南。由于其承受的工作电压最高约为Ud,通常VD7可以选择1A、600V左右快恢复二极管。 C13一般可以选择几个微法~几十微法的容量,耐压等级不低于25V。Р(5)L5与C15的选择Р 逆变桥的负载等效电路和负载电压、电流波形如图5-8所示,假定荧光灯的参数为灯电压UH,灯电流IH,灯功率PH,逆变电路工作频率为f,灯负载近似为电阻,电流为对称指数曲线构成的波形,忽略谐波影响,以基波近似计算相关参数。Р 参考式(3-3),逆变输出电压基波有效值为Р 逆变输出基波电流有效值与灯电流有效值相等,即Р 忽略电感、电容的损耗,逆变输出基波有功功率即为灯负载功率,有Р Р即Р由于Р因此Р C15的作用在于和L5产生谐振,当半桥工作频率接近L5、C15固有谐振频率时,C15两端形成很高的谐振电压击穿灯管点亮。通常可以选择L5、C15固有谐振频率为半桥电路工作频率的2~3倍,假定L5、C15固有谐振频率为f0,则Р Р以此可以求得C15的容量。Р(6)VT2与VT3的选择
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