南邮-软件设计报告

t函数,带参数可以限制绘图范围,plot函数绘制圆心用符号‘+’表示;Рaxis equal是坐标轴刻度等距,这样是图形显示的不失真;Рlengend、num2str函数添加图形注释,lengend添加注释的调用格式为lengend(‘字符串’,num2str使数值转换成字符,num2str(数值或数值的表达式);Р3.3?双极型晶体管基区少子浓度分布Р3.3.1?设计题目及要求Р试绘出缓变基区的杂质分布为:Р①;Р②时,Р基区的少子浓度分布图,并能清楚解释各参量对少子浓度分布函数的影响。Р程序说明:当晶体管偏置在有源放大区时,VC<0且|VC|>>kT/q,集电结边缘处电子密度为零,即 x=WB,nB(WB)=0。由此边界条件,得到缓变基区少子浓度分布函数:Р假定:InE=0.01mA;DnB=2cm2/s;WB=0.05um;q=1.6e-19C。Р3.3.2?逻辑功能程序Рfunction [ ] = Question3( )Рsyms x eta NB0 InE DnB WB q a;РNB1x=NB0*(1-x/WB);РNB2x=NB0*exp(-eta*x/WB);РnBx=InE*int(NB2x,x,x,WB)/(NB2x*q*DnB);РnB0=InE*WB/(q*DnB);Рy=nBx/nB0;РnB0=subs(nB0,{InE,DnB,WB,q},{0.01,2,0.05,1.6*10^-19});Рy=subs(y,x,a*WB);Рy=subs(y,{q},{1.6*10^-19});Рfor i=0:2:8Рyx=limit(y,eta,i);Рezplot(yx,[0,1]);Рtext(0.5-0.05*i,subs(yx,a,(0.5-0.05*i)),['η=',num2str(i)]);Рhold on;РendРhold off;