端口写入0FFH,使下方场效应管截止,上方场效应管由于控制信号为0也截止,从而保证数据信息的高阻抗输入,从外部存储器输入(或从I/O读取)的数据信息直接由P0.x引脚通过输入缓冲器BUF2进入内部总线。如果下方的场效应管导通接地,这时读入的数据就始终是0,就不能把高电平正确读入了。Р六、使用简单指令序列完成以下操作(20分,每小题10分) Р 1.请将片外RAM 20H—25H单元清零Р MoV R0,#20H Р MOV R7,#06H Р CLR A Р LOOP:MOVX @R0,A Р INC R0 Р DJNZ R7,LOOP Р 2.请将ROM 3000H单元内容送R7 Р MOV DPTR, #3000H Р CLR A Р MOVC A,@A+DPTR РMOV R7,A Р七、编程题(20分)РORG 00HР MOV P1,#0FFH ;读P1口之前,对其进行初始化Р MOV P0,#0FFH ;对P0初始化Р?LOOP:?MOV A,P1 ;读开关状态,Р JNB ACC.2,FLASH?;第3个开关闭合,转FLASH程序РMOV P0,A ;不是第3开关闭合,就输出开关当前状态Р LCALL DEL500ms ;延时500MSРSJMP LOOPРFLASH: ;闪烁程序Р MOV A,#0FH РRETURN:?MOV P0,A ;最高4位灯点亮Р LCALL DEL500msРMOV A,#0F0HРMOV P0,A ;最低4位灯点亮РLCALL DEL500msРSJMP FLASHРDEL500ms: ;延时500ms子程序РMOV?R3,#5 РLOOP3:?MOV?R4,#200РLOOP2:?MOV?R5,#250РLOOP1:?DJNZ?R5,LOOP1 Р DJNZ?R4,LOOP2Р DJNZ?R3,LOOP3Р RETР END
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