于压控流源。Р可见,对于N沟道增强型MOS管,栅源电压VGS对导电沟道有控制作用,即当UGS> UGS(th)时,才能形成导电沟道将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流ID。Р当场效应管工作在恒流区时,利用栅-源之间外加电压uGS所产生的电场来改变导电沟道的宽窄,从而控制多子漂移运动所产生的漏极电流ID。此时,可将ID看成电压uGS控制的电流源。Р4、N沟道耗尽型MOSFETРN沟道耗尽型MOSFET是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子,所以当UGS=0时,这些正离子已经感应出反型层,形成了沟道。如P45图1.48所示。于是,只要有漏源电压,就有漏极电流存在。当UGS>0时,将使ID进一步增加。UGS<0时,随着UGS的减小漏极电流逐渐减小,直至ID=0。对应ID=0的UGS称为夹断电压,用符号UGS(off)表示,Р5、P沟道增强型和耗尽型MOSFETРP沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同,只不过导电的载流子不同,供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。Р6、场效应管的伏安特性Р场效应三极管的特性曲线类型比较多,根据导电沟道的不同以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线,其电压和电流方向也有所不同。Р以增强型N沟MOSFET为例,Р输出特性:iD=f (uDS)︱UGS =常数反映UGS>UGS(th) 且固定为某一值时,UDS对ID的影响;Р转移特性:iD=f (uGS)︱UDS =常数反映UGS对漏极电流的控制关系;Р输出特性和转移特性反映了场效应管工作的同一物理过程,因此,转移特性可以从输出特性上用作图法一一对应地求出。Р场效应管的输出特性可分为四个区:夹断区、可变阻区、饱和区(或恒流区)和击穿区。在放大电路中,场效应管工作在饱和区。Р7、场效应管的主要参数:Р直流参数
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