个稳压二极管的稳压值分别为8V和10V,将它们组成如图所示电路,设输入电压РU1值是12V,则输出电压U0为__D______。Р A、10V B、12V C、9V D、Р 8VР 55、P型半导体中多数载流子是______,少数载流子是________。Р 正离子 B、空穴负离子Р 自由电子 D、自由电子空穴Р 器件。Р B、电流控制电压Р D、电压控制电流Р 57、当二极管两端正向偏置电压大于Р A、反向击穿电压 B、饱和电压 C、正向导通压降Р 58、二极管电路如图所示,设二极管导通电压UD=0.7V ,则输出电压值为。Р A、2V B、0V D、-1.3VР 59Р A、晶体缺陷 B、掺杂工艺 D、温度Р 60、某放大电路中,晶体极的电流如图所示,测出Р ,由此可知对应电极②是。Р A、发射极 C、集电极 D、不能确定Р 。Р B、饱和状态 C、截止状态 D、击穿状态Р 62________。Р A、放大区 B、截止区 D、以上都不对Р 636V、11.3V、12V,则此三极管为______。Р A、PNP 锗三极管硅三极管Р C、NPN 锗三极管硅三极管Р 64、某放大电路晶体管发射极电流为1mA,基极电流为20μA,则集电极电流为Р B、1.02 C、0.8 D、1.2Р 电压以前,通过的电流很小Р A、死区 B、最大 C、短路Р PN结反向偏置时,空间电荷区________。Р B、变窄 C、基本不变 D、不能确定Р 50V,则它的击穿电压是 A、50V C、150V D、Р 200V 68Р A、温度Р C、流量 D、压力Р 69Р AР 、正向导通 B、反向截止 D、无法确定Р 70、下图所示各晶体管处于放大工作状态,已知各电极直流电位如图所示,则该晶体管的类型为_________。Р A、NPN 硅管 B、NPN 锗管 C、PNP 硅管 D、PNP 锗管
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