:Р(Vd1max为d1范围上限值。Ptotd1为某种型号稳压管最高工作温度时的允许功耗,可在器件资料中查到。)Р为不影响欠压保护点,在选取R3时应注意R3>>R2 ,同时为保证稳压管漏电流在R3上产生的电压不导致Q1误导通,要求:Р IRd1*R3<VBE(sat)minQ1Р PR3=VBE(sat)max2/R3Р Q1、Q2可选取普通的NPN三极管,耐压应大于最大的输入欠压点,并要满足相关降额要求。РR1的选取:ßmin*IbQ1min*R1>=Vdcmin-VceQ1min(ßmin、IbQ1min、VceQ1min可在三极管器件手册中查找到)。Р5.5.2 启动电路设计Р 常用的启动电路如下图所示:Р图中R4根据最低输入电压Vdcmin、stmax设计:Р R4<(Vdcmin-Vccstmax)/IccstmaxР并注意Vdcmin是指能加到R4的电压,小于要求的输入电压值。最高启动电压和最大启动电流应按同编码下不同器件中最大的来设计。一般情况下,对于芯片的最大启动电流要放一定裕量,因部分器件手册中给定的最大启动电流并非真正意义上启动可能产生的最大电流,而是在一定的条件下的最大启动电流,故设计时要放一定的裕量,stmax裕量应大于150%以上,即:РR4≤(Vdcmin-Vccstmax)/(150%*Iccstmax)Р对于R4电阻功率选取,按照下式计算,并根据电阻工作时表面最大温度与一定的电阻功率降额关系曲线进行选取:РPR4 >(Vdcmax-Vccmin) 2/R4Р注意:在开机启动时,Vcc接近于零,此时,电阻功耗最大,但时间延续长度为启动时间。另当电路出现故障,反复开关机时,电阻功耗也比正常时大,此时是否要让电阻损坏应看需求,例如安规试验时电阻早点损坏反有利于保护后级其它电路。Р5.6 PWM芯片外围电路的设计Р5.6.1 PWM的外围振荡电路设计
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