HCT多线切割工艺

排除后,不要立即去开启切割。先让切割线低速走几秒,再开始切割。Р第3章多线切割的技术参数及讨论Р3 .1多种切割工艺对比Р太阳能硅片目前常规的切割方法主要由:内圆切割(ID saw)和多线切割(Wire saw)。作为目前硅片切割主流技术的多线切割,被多数应用在工业生产规格适中的硅片。国外已有报道低速走丝电火花切割(LSWEDM)。实验结果表明,电阻率在20Ω·cm一下的多晶硅片具有可加工性。表一列出了了上述3种方法切割硅片的性能对比。РWire sawРID sawРLSWEDMР切割原理Р磨料研磨Р金刚石沉积刀片Р火花放电Р表面结构Р切痕Р剥落Р放电凹坑Р损伤层厚度/μmР25~35Р35~40Р15~25Р切割效率/(mm·min)Р30~50(单片)Р20~40Р45~65Р硅片最小厚度Р250Р350Р250Р适合硅片尺寸Р300Р200Р200Р硅片翘曲Р轻微Р严重Р轻微Р切割损耗Р150~210Р300~500Р280~290(丝径250)Р由表一可以看出,LSWEDM方法在硅片最小切割厚度及翘曲方面具有较大的优势。但目前的LSWEDM的研究均是针对较低电阻率进行的。很难再工业生产中实现。根据现在太阳电池片的市场行情看,大规模低成本的工艺生产才能符合客户需要。故多线切割是占国际市场的主导领域。Р3.2 HCT-B6的工艺参数Р多线切割工艺比较复杂,影响片厚和质量的因素有很多。槽距、线径、砂浆的密度、线速、切割距离等等。在试验中采用360槽距的导轮、线径120μm、总长度450km钢线、300μm/min的台速、线速12.3m/s,满载切割距离170mm,片厚200μm。Р3.3 工艺试验结果Р根据以上工艺参数和工艺步骤,通过各种性能测试,结果为下表。Р机台号Р1Р2Р3Р4Р5Р6Р良品率Р83.4%Р86.5%Р89.9%Р91.2%Р88.0%Р85.2%