0值。Р绕阻一般为铜线,平均温升ΔQ按下式计算:Р (5)РR0—断电瞬间绕阻热电阻值,ΩРRQ1—温度为Q1时冷电阻值,ΩРQ1—绕阻冷态温度(冷态时环境温度),℃。РQ2—温升试验后期确定温升的环境温度,℃。Р235—铜导体温度系数的倒数Р6)电容介损测量Р试验目的:检验电容器的电容及介损,并作为元件好坏的判据。Р 图4正接法原理图图5 反接法原理图Р试验方法:电容测量应在工频耐受电压试验前,在不高于15%的电压下进行初测,工频耐受电压试验之后在(0.9~1.1)Un电压下进行复测。Р在试验室试验时,一般采用正接法。在现场验收时,用反接法较多。反接法试验时,由于电桥处于高电位,所以应注意安全,测试电压一般也达不到要求(较低)。Р Р7)高频电容及等值串联电阻测量Р试验目的Р检验电力载波该频通路的阻抗。Р试验方法Р可在分节电容器上进行,采取相应的屏蔽措施,测量引线应尽量短。特别是试品测量较大时,更应该注意测量回路的屏蔽和引线,否则导致电容量偏大。Р在额定温度范围内,在30~500kHz的高频下,电容器高低压端子之间的电容值相对于额定电容的偏差不得超过-20%或+50%,且等值串联电阻不得超过40Ω。Р 对于较低频率(例如30~100kHz)和温度类别的下限温度,或电容不超过2000pF的电容叠柱,或Um大于42kV者,其等值串联电阻允许大于40Ω。Р 试验一般用电平振荡器和选频器作为高频电源,用导纳电桥测量,所测参数为并联电容和并联电导,需将数值等效为等值串联参数。Р计算公式为:Р (6)Р (7)Р Р8)低压端子对地杂散电容及杂散电导测量
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