可。Р图(b)所示电路,先假定三极管工作在放大区,则基极回路方程为:Р由此得:Р Р故三极管没有工作在放大区,为使三极管工作在放大区,一种方法是将集电极偏置电阻减小使其脱离饱和区,为此将10K的集电极偏置电阻减小,例如为1.2K即可。当然也可以减小发射极回路的直流电源数值以减小基极电流使其脱离饱和区,例如1.5V即可。Р图(c)所示电路,三极管发射结处于反向偏置状态,三极管工作在截止区,为此一种比较简单办法是将-5V直流电源改为+5V直流电源。Р图(d)所示电路,三极管是PNP,发射结处于反向偏置状态,集电结的偏置状态也不正确,为此一种比较简单办法是将10V直流电源改为-10V直流电源。Р在以下电路中,晶体管参数为:b=100,rbb' = 60W,Cob = 0.5pF,fT = 100MHz,VA=100V。估算的它们的静态工作点、低频小信号模型参数rbe、gm、rce以及高频小信号模型参数Cp 、Cm 。Р(b)Р解:对图(a)所示电路,首先计算电路的静态工作点,Р得:Р则:Р对图(b)所示电路,首先计算电路的静态工作点,Р求得:Р则:Р晶体管的b 和VBE(on) 都会由于温度的影响而改变。若已知b 的变化率为,VBE(on)的变化率为。当环境温度升高25℃时,上一题中的两个电路的集电极电流将各升高多少?Р解:根据题目给出的已知条件,当环境温度升高25℃时,Р上题图(a):,Р升高2.84-2.26=0.58mAР上题图(b):,Р仅升高0.025mA,可见图(b)电路的稳定性要好的多。Р已知下图场效应管的=0.5mA/V2,VGS(on) = 3V,VA = 80V。RG1 = 30kW,RG2 = 18kW,RG3 = 1MW,RD = 5kW,VDD = 12V。试求该场效应管静态工作点和低频小信号模型参数。Р解:设场效应管工作在饱和区,考虑沟道长度调制效应:
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