电气工程课程设计MOSFET升压斩波电路设计

电源E和电感L共同向电容C充电并向负载R提供能量。Р设MOS管处于通态的时间为ton,此期间电感L上积蓄的能量为EI1toff。Р设MOS管处于断态的时间为toff,此期间电感L释放的能量为(U0-E) I1toff。Р当电路工作处于稳态时,一个周期T中电感积蓄的能量与释放的能量相等,Р即: Р (3-1)Р化简得:Р (3-2)Р波形如图5。Р图3-4 MOSFET升压斩波电路波形Р3.2.3主要的数量关系Р用占空比的形势表示输出电压: Р (3-3)Р Р本设计中取占空比α=50%,则:Р输出电流的平均值为:Р负载电阻的阻值为: Р四、控制电路与保护电路设计Р4.1 MOSFET驱动电路Р4.1.1驱动电路原理图Р图4-1 MOSFET驱动电路图Р4.1.2 电路工作原理РSG3525是电流控制型PWM控制芯片,所谓电流控制型脉宽调制器是按照接反馈电流来调节脉宽的。在脉宽比较器的输入端直接用流过输出电感线圈的信号与误差放大器输出信号进行比较,从而调节占空比使输出的电感峰值电流跟随误差电压变化而变化。由于结构上有电压环和电流环双环系统,因此,无论开关电源的电压调整率、负载调整率和瞬态响应特性都有提高,是目前比较理想的新型控制器。Р 当SG3525芯片工作时,会从输出端口引脚11和引脚14输出PWM信号。由于SG3525的输出驱动电路是低阻抗的,而功率MOSFET的输入阻抗很高,因此输出端引脚11和引脚与MOSFET的栅极之间无须串接限流电阻和加速电容,就可以直接推动功率MOSFET。Р4.2 保护电路Р4.1.1变压器的保护Р1.参数计算Р变压器二次侧电流为:Р Р电流有效值: Р考虑有一定的余量,FU2可以选用5A的熔断器Р变压器的变压比为:110∶21Р变压器一次侧电流: Р考虑有一定的余量,FU1可以选用3AР2.变压器保护电路原理图Р图4-2 变压器保护电路原理图