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科一微电子复习提纲(大学期末复习)

上传者:相惜 |  格式:doc  |  页数:6 |  大小:3046KB

文档介绍
电阻值。七. 全定制设计与半定制设计(第八次课目录) (1)门阵列设计的特点是什么?门阵列设计的优点是什么?门阵列设计的缺点是什么? n+ p substrate p+ n well AY GNDVn+ p+ substrate tap well tap n+p+ 考生信息栏学院专业班级姓名学号装订线 P9P 10 (2 )基于基本单元库的设计的优点是什么? (3 )基于现场可编程门阵列( Field Programmable Gate Array )设计的优点和不足分别是什么? (4 )了解门阵列与 FPGA 设计的区别。(5 )了解什么是全定制设计。全定制设计途径是集成电路设计的一种途径,这种途径需要设计人员完成所有晶体管和互连线的详细版图。八. 封装与测试(第九次课目录) (1 )集成电路的主要的封装方法分为哪几种?双列直插式( DIP : Dual In-line Package) 表面安装封装( SMP : Surface Mounted Package )球型阵列封装( BGA : Ball Grid Array ) 芯片尺寸封装( CSP : Chip Scale Package) 晶圆级尺寸封装( WLP : Wafer Level CSP ) 裸芯片封装( COB : Chip On Board )倒装芯片封装( FC : Flip Chip ) (2 )了解集成电路测试的意义。 1 ,直观地检查设计的具体电路能像设计者要求的那样正确工作。 2 ,确定电路失效的原因和所发生的具体部位,以便改进设计和修正错误。(2) 缓冲器(3 )与非门(4 )或非门(5 )传输门作业:反相器分为哪几类? 考生信息栏学院专业班级姓名学号装订线 P 11P 12 栅电容 P+ 电容通过 n 管放电,通过 p 管充电。 ASIC 专用集成电路芯片。空单元:阱接电位,节省面积。

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