铝电解电容器工程技术

品质优劣、制造工艺是否得当和工艺卫生文明生产的一个直接标志。Р4.2 漏电流的表达式Р铝电解电容器的漏电流从等效电路可知,它是氧化膜介质的体积漏导电流IV和通过表面的漏导电流IS之和,如图1-7所示,其表达式为:Р ILC=IV+IS РαUfРKsOРdРSР4.2.1 体积漏导电流IV : 因介质氧化膜的体积电阻RV :Р+Р-РIРISРIVРUР∵RV=ρ=ρРUkSOγРUfРUkSOРραUfРUРRVР∴IV = =?=0.714×107?A?Р图1-7 电容器的漏电流示意图Р式中: U—施加电压,V; Р k—腐蚀系数;Р SO—光箔几何面积,cm2;Р γ—氧化膜电导率,(Ω·cm)-1;Р ρ—氧化膜电阻率, Ω·cm;Р Uf—形成电压,V; Рα—形成常数,对于铝阳极箔α=1.4×107 cm/V。РεrSР3.6πdР另一表达式:Р∵C =?×10-6 μFРdРSРRV =ρΩР1.13×107РεrρР3.6π×106РεrρРUРRVРCUРCRVР∴IV =?= = ×CU = CU (A)Р1.13×1013РεrρР =?CU (μA)Р1.13×1013РεrρР=KCU (μA) Р令 K =?Р假设铝氧化膜εr= 8~10, ρ=1013~1014Ω·cm,则РK值约为0.01~0.1,此值正好在CD11型和CD110型铝电解电容器K值的规定范围内,则 IV≈(0.01~0.1)CU μA Р根据固体电介质电导理论可知,理想介质的欧姆定律可以适用到击穿电场强度E=106~107V/cm的范围。在弱电场下介质氧化膜电导率γ与电场强度E的关系趋于平坦,符合欧姆定律。在强电场下电导行为是离子电导和电子电导,且电子电导占主要地位。РA.离子电导γi在强电场下γi随着E的上升而增加,这可认为是由于离子迁移率与E有关所造成的。其电导率γi为: