读寄存器C操作清除。РUF:数据更新结束中断标志位。每个更新周期后此位都会置1,当UIE位位置1时,UF若为1就会引起IRQF置1,将驱动/IRQ引脚为低电平,申请中断。此位由复位操作或读寄存器C操作清除。Р寄存器D字节的内容如下。Р MSB LSBР 0 Р 0 Р 0Р 0Р 0Р 0Р 0Р 0РVRT;RAM和时间有效位。用于指示和VBAT引脚连接的电池状态。此位不可写,也不受操作为影响,正常情况下读取时总去为1,如果出现读取为0的情况,则表示电池耗尽,时间数据和RAM中的数据就会出现问题。Р芯片DS12CR887的113字节普通RAM空间为非易失性RAM空间,他不专门用于某些特别功能,而是可以在未处理器程序中作为非易失性内存空间使用。Р§2.4温度采集电路设计Р2.4.1 DS18B20的主要特性Р适应电压范围更宽,电压范围:3.0~5.5V,在寄生电源方式下可由数据线供电。Р②独特的单线接口方式,DS18B20在与微处理器连接时仅需要一条口线即可实现微处理器与DS18B20的双向通讯。Р③DS18B20支持多点组网功能,多个DS18B20可以并联在唯一的三线上,实现组网多点测温④DS18B20在使用中不需要任何外围元件,全部传感元件及转换电路集成在形如一只三极管的集成电路内。Р⑤温范围-55℃~+125℃,在-10~+85℃时精度为0.5℃。Р⑥可编程的分辨率为9~12位,对应的可分辨温度分别为0.5℃、0.25℃、0.125℃和0.0625℃,可实现高精度测温。Р⑦在9位分辨率时最多在93.75ms内把温度转换为数字,12位分辨率时最多在750ms内把温度值转换为数字,速度更快。Р⑧测量结果直接输出数字温度信号,以"一线总线"串行传送给CPU,同时可传送CRC校验码,具有极强的抗干扰纠错能力。Р⑨负压特性:电源极性接反时,芯片不会因发热而烧毁,但不能正常工作。
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