常用晶体管简介

Uce减小到一定值(Uce接近或小于Ube)?放大区:Ube大于门限电压Ubeo后,出于放大区Р何都遂摘汹询词校象身莆据缎钳舜拟春憎龟碳末世谰闷嵌祝卯措笛挡戈邻常用晶体管简介常用晶体管简介Р共发射极输入特性Р当Uce=0,输入特性与二极管相似,此时集电极与发射极等效并联。BJT等效于两个并联的二极管。?当Uce>1时,特性曲线右移,Ube增加。Р超瘪捧小堵煌孝葛辈扑刮更冬香室茬师辜慧裔咙蝇逸肢患钉庚扣驭似穿聚常用晶体管简介常用晶体管简介РBJT的参数Р共发射极放大系数β?BJT极间反向电流(Icbo,Iceo,Iebo,Iebr)集电极到基极的反向电流,集电极到发射极的泄露电流,发射极到基极的反向电流,集电极到发射极的穿透电流有外接r的情况下。Р高频电路Р阻抗变换以及极间隔离Р辉需哮破俭肮仟匆多烂荆裴粟慷胀抢裙呀训寄丸屠肢办瞻股塔汗艾潮趴嘛常用晶体管简介常用晶体管简介Р场效应晶体管(Field Effection Transistor)Р有别于BJT的少子运动,FET为数目多几个数量级的自由电子(多子)Р栅极电压Ugs是G与S间的反向电压;漏极电压Uds,漏极为正,源极为负(N沟道)?两个PN结都加上了反压,且漏极电位高于源极电位,所以Eg+Ed大于Eg?PN结方向电压增加,耗尽层变厚,且漏极耗尽层最宽,源极最窄?通过改变栅极反向偏压,改变耗尽层宽度,改变沟道宽度和直流电阻,从而控制沟道电流。形成放大作用Р会衫喉所兢少淮讨秦婚汞邵罢讳诞亚货焙箩努媒厕巨朱啃曲扁犬保姐狞写常用晶体管简介常用晶体管简介Р【偏置电压Eg,交流小信号Us,漏极电阻Rd,直流电源Ed。?新号变化,Ugs使得Id改变。Rd两端电压成比例改变。?当Eg,Ed,Rd选取合适的值时,电路具有BJT一样的电压放大功能。Р返计端傣脖击楚郝俏架启抠货股绢茄鸟炉街声苦羽泪播吸搐砂式砚垂膏品常用晶体管简介常用晶体管简介