高石墨烯溶液的稳定性,同时石墨烯的性能、单层石墨烯的产率也得到提高。?除了以上几种常用的物理方法外,还有文献报道了以球磨法、爆炸法等剥离膨胀石墨制备石墨烯,但这几种方法不能彻底地剥离石墨及氧化石墨片层结构,大部分为多层结构。Р6Р化学方法Р2.化学方法Р2.1表面析出法? 该方法是通过加热富C品体,实现C在晶体的特定表面富集并最后长成石墨烯片。最典型的是以4H—SiC或6H—SiC为原料,在高真空下通过电子轰击加热除去氧化物,然后加热样品使温度升高脱除Si,在单晶(0001)面上分解出石墨烯片层。通过这种方法,并利用热循环法以富含C的金属Ru(0001)面为模板,在Ru原子的填隙中也可以实现C原子的层状生长。在富C钌基材料中也采用这法制备出石墨烯。?缺点:?该方法通常会产生比较难以控制的缺陷以及多品畴结构,很难获得较好的长程有序结构。制备大面积、具有单一厚度的石墨烯比较困难。Р7Р氧化石墨还原法Р2.2氧化石墨还原法?氧化石墨还原法是目前制备石墨烯最热门的方法之一。Р这种方法中石墨的氧化是关键环节,图3为比较公认的石墨烯氧化物结构式Р氧化石墨常用的方法主要有?Hummers、?Brodie、?Staudenmaier方法。Р8Р氧化石墨还原法Р缺点?氧化过程会导致大量的结构缺陷, 这些缺陷即使经1100°C退火也不能完全被消除, 仍有许多羟基、环氧基、羰基、羧基的残留。缺陷导致的电子结构变化使石墨烯由导体转为半导体, 严重影响石墨烯的电学性能, 制约了它的应用。Р优点? 含氧基团的存在使石墨烯易于分散在溶剂中, 且使石墨烯功能化,易于和很多物质反应, 使石墨烯氧化物成为制备石墨烯功能复合材料的基础。Р9РCVD法Р2.3化学气相沉积(CVD)法Р选择对碳具有较高固熔度的金属(如Co和Ni)作为衬底?升温至生长温度,使碳通过扩散进入金属中?快速降温使碳从金属中偏析出来。Р10
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