光电电路光电导探测器

λ0=1.85μmР杂质吸收РEcРEvРEdРEcРEaРEvР施主Р受主РEvРEcРEgР本征吸收Р电子Р空穴РSi: P(施主) △Ed=0.045ev λ0=29μm? Si: IN(受主) △Ea=0.14ev λ0=8μm? 主要应用于红外探测Р本征半导体Р掺杂半导体Р光照Р1一定温度下:δ0=q(n0μn+p0μp)( n0 和p0为一定温度下的载流子浓度)Р2光照情况下:△δ=(△nμn+△pμp)(△n和△p为光生载流子浓度)? δ=δ0+△δ? 即:光照→△δ→δ↑→ R↓Р光照半导体材料Р第03章光电导探测器Р3.1 材料结构原理?3.2 主要特性参数?3.3 偏置电路和应用Р3.1 材料结构原理Р3.1.1 材料及分类РⅢ-Ⅳ、Ⅲ-V族化合物,硅、锗以及一些有机物等Р本征型光敏电阻:Р杂质型光敏电阻:Р注意杂质型:1.常用N型 2.极低温度下工作Р杂质型光敏电阻:极低温度下工作???Р以N型为例:РEcРEvРEdРΔEd= Ec- Ed<< EgРEgРΔEdР2. 常温--杂质原子束缚电子或空穴已被热激发成自由态作为暗电导率的贡献量。长波光照,已无束缚电子或束缚空穴供光激发用,即光电导Δσ为零或很微弱。Р1.杂质原子浓度远比基质原子浓度低得多。Р3.1 材料结构原理Р3.1.2 光照下的光电导响应过程Р光电导响应的两个基本结论:Р(1)弱光照——响应时间为常数(等于载流子寿命),稳态光电导与光生载流子的产生率成线性关系。Р(2)强光照——响应时间是光照的函数,稳态光电导与入射辐射通量平方根成正比关系。Р阶跃光照时Р光电导响应:Р正弦光照时Р光电导响应:Р上限截止频率:? (频域)Р响应时间:? (时域)Р光电导?响应速度Р3.1.2.光照下的光电导响应过程Р3.1.3 结构和原理Р3.1 材料结构原理Р设样品为N型材料Р任务:1.导出电流表达式