应和驱动电流频率的关系。他们还发现,当R和Ⅳ的变化大约相等时阻抗z的变化量最大。-6.首都师范大学硕士学位论文不同频段下磁导率的产生机制不同。在低频下对磁导率有贡献的主要是畴壁移动高频时畴壁移动受到限制,磁畴磁矩的转动起着决定作用,这样就使得低频下观察不到图(2.1—2)中灵敏度最高的AB段,这是低频和高频GMI效应的重要区别之一。总的说来,要得到大且灵敏度高的AB段的GMI效应,除了很好的软磁性能、~定的磁各向异项性,适当的驱动电流频率也是很重要的。2.1.3GMI效应和导电层电导率的关系最近研究的两个软磁层中间夹一高导电金属层的三明治(Sandwiched)结构的膜‘5】引入的导电层,对GMI效应有显著的影响。图2—1—5是铁磁层为CoSiB时不同导电层材料的多层膜阻抗变化率(外加磁场720A/m)与驱动电流频率的关系曲线。从图中可以看出,由银作导电层的多层膜的GMI效应最明显(可达490%),铜次之(380%),而钛的效果最差(约10%),这说明导电层的导电能力越好,多层膜的GMI效应越明显。此外图中还给出了单层CoSiB薄膜的GMI效应曲线。从图中可以看出,在10MHz左右的频率范围几乎观察不到单层膜的巨磁阻抗效应,而此时多层膜的GMI效应却已经非常明显。图2-1—5不同导电材料制成的多层膜的阻抗变化率与驱动电流频率的关系2.2GMI效应的应用目前对GMI效应的应用开发,主要集中在微型磁头和磁传感器方面。GMI磁通门磁强计则以交流技术为基础,可以完成多种功能:调制和解调,滤波,振荡和共振。为了克服与高频电流关联的电极导线问题和便于携带,使用直流电源工作的科尔皮兹振荡电路和共振式多谐振荡电路及新的偏场技术等,避免了使用交流电源带来的多种麻烦。GMI微型传感头组件‘161、位移传感器【17】、快速响应大电流传感器、高频磁阻抗薄膜磁传感器等都是GMI效应的具体应用。.7.
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