性,这个样品架还可以用液氮冷却和用电子束轰击加热两种方法控制样品的温度,样品的温度变化范围为约110K~1600K。所以,总体来说,这套原位磁光克尔效应谱仪可以对样品进行原位处理、生长,并且可以测量样品的表面结构、化学状态、磁学性质和气体吸附对样品磁学性质的影响,样品从生{殳到测量都在超高真空条件下完成,满足了磁性超薄膜的研究需要。3.北京国家同步辐射实验室光电子能谱站我们有关体心立方Ni电子结构的研究是在北京同步辐射国家实验室光电子能谱站上完成的。该实验站由光束线、分析室、预处理室和生长室四部分组成。角积分光电子能谱的实验所选择的入射光能量为looev,角分辨光电子能谱的实验所选择的光予能量范围为18eV’50eV,总的能量分辨率大约为E/△E=150。4.德国马普微结构物理研究所磁学组多功能外延生长结合表面分析和磁性测量大型联机系统。能够进行电子束蒸发,热蒸发阻及激光分子束外延。具备原位的扫描隧道显微镜,x射线光电子能谱和原位的低温高磁场的磁光Kerr效应仪。5.脉冲激光淀积脉冲激光淀积(PulsedLaserDeposition)是80年代后期发展起来的新型的薄膜制备技术,利用这个技术来制各薄膜,能够使制备的薄膜的化学成分和作为生长源的靶的化学成保持~致。PLD被广泛应用于多元金属氧化物材料的制各上。90年代初,PLD方法被应用到金属磁性超薄膜的研究领域。典型的PLD装置如图3所示:脉冲激光图3典型的PID装置图当一束强的脉冲激光照射到样品靶上时,靶会被激光所加热、溶化、气化直到变成等离子体,这些形成的等离子会择优的沿着靶的法线方向从靶向衬底传输,最后在衬底上形成薄膜。用PLD方法产生的淀积原子能量高,大概在1ev量级,在金属磁性超薄膜生长方面,相对热蒸发方式而言,容易得到好的层状生长。它的主要缺点是容易在薄膜中及表面存在一些微米一亚微米的颗粒物(droplet).^
全文预览
