提高其对可见光的响应范围进而提高样品在可见光驱动下的光催化性能【49,50】。1.3II—VI族半导体II—VI族半导体即元素周期表中II族元素Zn、Cd、Hg和VI族元素S、Se、Te所形成的化合物半导体材料,II-VI族化合物的表示式为A(II)B(VI),即ZnS、ZnSe、ZnT、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe和HgTe。II—VI族半导体因其本身特殊的光电性质而得到了广泛关注与研究。Suryajaya曾就II-VI族半导体中研究较为广泛的CdS和ZnS从光学和电学两个方面研究了其静电自组装机理【5-】,Yang则在催化剂的辅助下利用真空悬蒸发成功地合成出来一系列II-VI族半导体纳米线[521,Jie则着重研究了一维II-VI族半导体纳米结构的合成、性能及其在光电方面的应用[53】。1.4复合半导体上文我们已经提N--氧化钛在有机污染物水处理方面应用的限制主要是由于光生电子一空穴对的复合率过高,使得光生电子和空穴不能有效到达催化剂表面与吸附的污染物反应。这个问题我们可以通过在宽禁带半导体表面复合一层禁带宽度较小半导体而得到有效地解决,这样一来窄禁带半导体导带上的光生电子就可以迁移到能带宽度较大的半导体上从而得到有效分离【54’55】。为了有效地进行半导体复合必须满足一下要求:1)半导体为非光腐蚀半导体;2)禁带宽度较窄的半导体能够被可见光激发;3)窄禁带半导体的导带较宽禁带半导体的导带更负;4)有效的电子迁移。我们以窄禁带宽度为2.4eV的CdS半导体与宽禁带宽度的Ti02半导体复合为例(如图卜2所示),研究结果表明CdS/Ti02复合半导体在紫外光区对2一氯酚有着明显降解效果,二者主要归功于光子电子一空穴对的有效分离156]。CdS导带上的光生电子迁移到Ti02导带上同时,Ti02价带上的光生空穴则迁移至CdS的价带上,CdS/Ti02复合半导体的
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