;该电信号经丸,D转换器转换为数字信号输入计算机就可进行图像处理。该照相术获得的图像为数字形式,非常方便存储和传送,并且经计算机进行图像处理后可进行对比度加强及图像的加减等若干操作。BaFBr:Eu2+存在的主要问题在于空间分辨率有待提高(达到每毫米5对线)【1,2】。(3)碱金属卤化物类型电子俘获材料近几年来,碱金属卤化物也开始作为光存储的电子俘获材料进行研究。典型的有KCI:Eu2+,KBr:Eu2+等。这类材料写入光波段在紫外,读出光在绿光波段,读出发光在蓝光波段。一般认为这类材料中电子陷阱是阴离子空位,发光中心是Eu2+离子。主要应用于X光影像存储或者紫外影像存储,这种材料的持续读出信号随时间的衰减小,因此可以用作多次和长时间读出的存储。与BaFX(X=C1,Br):Eu2+相比,尽管这类材料存在一定的优势,可以用较低的能量作为读出波长,如CsBr:Eu,CsBr:Eu等的紫外(X射线)存储研究表明,其激励光波段在600--700rim处,与廉价的半导体激光器更为匹配,并容易制备成单晶,但是掺杂后易潮解,具有放射性,不利于民用,而且很难用该类材料制成可靠的存储屏。(4)一些浅陷阱的电子俘获光存储材料如CaAl:04:Eu2+,Nd3+,SrAl:0。:Eu2+,Dy3+,CaS:Eu2+,Tm3+等[13-16]。一般作者未把该类材料归于电子俘获光存储材料。但是,从它的发光机理角度来看,由于陷阱能级较浅,室温下电子能脱离陷阱与空穴复合发光,即,室温下的热释光,因此,我们也把这类材料也归于电子俘获光存储材料。从它的发光特性来看,更适合用于长余辉发光,而不利于光存储。在发光机理中激励波长和余辉是矛盾的关系,激励波长和余辉都与陷阱的深度有关系,陷阱深,则激励波长短,受热扰动的影响小,余辉少,但是不能配用价廉的长波光源,反之,陷阱浅,则激励波长长,但是陷阱受热扰动影响大,余
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