asevit最早提出金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的概念后,RDupuis,f口PDapkt/s采用MOCVD技术,成功地研制出室温连续激射的AIGaAs半导体激光器。尽管目前MBE也有生产型设备面市,但人们还习惯认为MBE更多地用于研究工作中,而MOCVD已被广泛用于III.V族化合物异质结量子阱材料的生长,特别是可用于生产中。以形成批量,降低成本。目前,半导体物理、半导体材料以及半导体器件的任何新发展.诸如利用III—Iv族硒化物$口lIl一氮化物制成的蓝、绿光短波长发射源都取得重大进展和可喜成果,异质结的概念和生长技术都起到了重要作用。可以预期,异质结构及作为其延伸的量子阱、量子线和量子点的发展提供了~种合成新材料异质结半导体技术,在未来的半导体物理、固体物理以至整个世晃科技的发展中,都会发挥越来越大的作用。硕士毕业论文2.1.3二维电子气(1)研究价值二维电子气是一类重要的低维物理系统,有重要的研究和实验价值。著名的量子霍尔效应就是2DEG体系中观察到的一种物理效应:当二维电子气受到杂质散射不是很小时,则可以观察到整数量子霍尔效应,伴随着纵向电阻的消失.VonKlitzing因此在1,.985年独自获得诺贝尔物理学奖。进一步提高电子迁移率,使得二维电子气受到的杂质散射d,N可以忽略不计,而二维电子气中电子的相互作用占了主导地位,于是又发现了分数量子霍尔效应,同样伴随着纵向电阻的消失,崔琦等人因此获得了1'.998年诺贝尔物理学奖。最近,德国的VonKlitzing小组和美国Utah大学的杜瑞小组发现,在微波辐照和低磁场中一-维电子气的电阻会出现一种新的零电阻态。(2)产生机理封百珊工!!!囊AI"~导节瘫繁带厂一们璜=娃蛾子气尊带咸冀来诧敏价芾堰图2GaAs/A1,Ga。As异质结及界面二雏电子气半导体中载流子的运动现象称为输运。从电磁学的基本原理出发,可以证
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