而伴随着取向性的增强,只存在绿光发射一种。除此之外,研究证明,ZnO的掺杂也能够改变ZnO结构的光学性质[10,111。黑龙江大学till-Z-t仑文1.3.2磁学性质关于ZnO基的稀磁半导体,受到了广大科研工作者的关注,也是研究最多的材料之一,ZnO基稀磁半导体是指将过渡金属掺杂到半导体ZnO中,在室温下具有铁磁性。这是磁性离子的局域磁矩与载流子白旋的交换作用产生的。2000年,Dietl.[121等测出Mn掺杂的ZnO在室温时具有铁磁性,自始,ZnO基拉开了稀磁半导体的崭新的一页。除了Mn,还对ZnO掺杂Ni,Co,Fe,Cr,V等磁性物质的材料进行了研刘13-151。WaKano.【16】等对ZnO薄膜掺杂Ni的材料进行了研究,改变Ni的浓度3at%至25at%,在2K时存在铁磁性,室温时,薄膜为超顺磁性。氧化锌是一种半导体气体敏感材料,氧化锌的光电导会随着表面吸附气体的种类和浓度的改变而发生很明显的变化,因此可以作为气敏材料。同其他气敏材料相比较,ZnO的稳定性能比较高,并且可以通过掺杂的方法,使其对多种气体进行检测。例如掺杂Bi203、Cr203等物质的ZnO薄膜对氢气的敏感性很高【171,掺杂La203、Pd等物质的ZnO对酒精具有良好的敏感性,可以用作酒精检测【13l。此外,ZnO是一种质地比较软的化学材料,其硬度为4.5,弹性常数比第1II.V族其他物质的弹性常数要小,它还具有良好的热稳定性、热传导性、热膨胀系数也相对较小。1.4ZnO的制备方法目前,研究工作者已经采用了多种合成手段,运用不同的工艺,合成了形貌丰富的ZnO纳米结构,例如介孔结构、核壳结构、纳米线、纳米管、纳米环等。其中,一些单一形态的0维(0.D),1.D,2.D的纳米尺寸的ZnO结构[19-291已经被研究,实验结果表明,ZnO粒子可以用来产H2021201和氧化有机酸【21】,还可以在可
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