良下六秭泌1。1正常磁奄辍效应(OMR)正常磁电隧效应普遍存在予所裔磁饿和;#磁毪材稀中,其来源于磁场对电子的洛伦兹力,它导致载流子遮动发生偏转或产垒螺旋运动,使窀予碰撞凡率增加,电阻升高,因而MR总是负的。间时肖n>P。>0,它们近戗与磁场爨抒获系,并且磁电阻不出现饱和现象。2各向异性磁电阻效应(AMR)备向异性磁电阻是指铁磁金属_和合金体中,磁场方向平行于电流方向的电兰2:鎏三兰态耋翌兰璺圭兰竺鎏兰阻率砌与磁场方向垂直于电流方向的电阻率P。发生变化的效应。由于AMR具有小的饱和场(约为7.96x102A·m‘1),以及高的磁场灵敏度,现已广泛应用于读出磁头和各类传感器中。AMR效应强烈地依赖于自发的磁化方向,它是由于铁磁性磁畴在外磁场作用下各向异性运动所造成的。在物理机制上,人们比较普遍认为各向异性磁电阻效应来自于各向异性的散射,而各向异性的散射被认为主要来源于自旋一轨道耦合和低对称性的势散射中心,前者降低了电子波函数的对称性,使电子的自旋与其轨道相关联。3巨磁电阻效应(CMR)巨磁电阻效应主要指磁性多层膜和颗粒膜等的与电子自旋相关的磁电阻效应。可定性地用建立在自旋相关散射基础上的二流体模型来解释,其中较为直观的是等效电阻模型。由于传导电子的非磁性散射大多不使电子自旋发生反转,可以将导电分解为自旋向上和自旋向下两个几乎独立的电子导电通道,相互并联,如图1-2所示。图1.2(a)Ybj两i个自旋相反的传导电子穿过两个磁矩反平行排列的相邻磁层所受散射的状态:Co)Yg穿过两个磁矩平行排列的相邻磁层时所受散射的状态。4庞磁电阻效应(cMR)顾名思义,魔磁电阻效应就是攒非常大的磁电阻效应,也常称为特大醺磁电阻效应。庞磁电阻效应有很强的温度依赖关系,主要是在膳里温度附近才有大的磁电阻。5隧道磁电阻效应口MR)磁性多层膜的巨磁电gfl(GMR)效应一般发生在磁性层/非磁层/磁性屡之
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