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二维脉冲调制射频SiH4N2O2放电的数值模拟研究

上传者:随心@流浪 |  格式:pdf  |  页数:66 |  大小:17238KB

文档介绍
方法、光谱方法、质谱方法。其中探针方法是通过探针收集分析I.V曲线,获得等离子的相关电子温度、密度、电势、电子能量分布函数等,然而由于等离子比较复杂,所以根据实际情况以及用途探针又分为单探针、双探针、发射探针等。光谱法是通过捕获光子的光谱确定等离子体中物质的种类以及浓度、截面、电子密度和温度。其中根据用途与方法不同分为发射光谱、速度调制光谱、吸收光谱和激光诱导荧光光谱。质谱法可以直接探测等离子体的种类以及状态等等。一般的质谱仪是由三部分组成的:电离源、离子分析器和信号收集系统。1.1.2电负性等离子体概述简单的惰性气体放电常用来研究基本的放电过程,这样做虽然可以使我们对等离子体的性质有一些了解,但对理解气相化学和表面化学帮助很少。在材料处理中我们大部分用到的气体可能是电负性的,即等离子体里面有负离子。它的加入使等离子体的平衡结构变的很复杂,等离子体倾向于分层,形成一个电负性的核心和一个电正性的边界,分层结构的出现是由于双极性电场的作用,它一方面对迁移率和能量都较高的电子能起到一定的约束作用,另一方面也能把负离子控制在放电rh心区域,与电子相比,负离子一方面温度较低,另一方面对电场的响应也比较慢,因此负离子很容易被束缚在主等离子区。一般在工业以及研究中用到的电负性气体有CF4,SF6,C12,02,Sill4以及他们与惰性气体的混合等等,他们被广泛的应用在等离子体刻蚀与等离子体薄膜沉积巾¨J。例如多晶硅的刻蚀常常用到的是卤族元素的气体,氧化薄膜[2】的沉积用到的放电气体是具有电负性气体的氧气以及与惰性气体的混合气;氮化硅薄膜常常使用硅烷、氯气、氨气的混合气体或者硅烷、氮气、氨气来生长;二氧化硅的沉积也大量的用到了电负性气体。目前已经有很多学者在这方而做了很多研究。Stoffel[3]P中氧气的放电。他们通过使用微波共振技术以及配合光致发射技术测量了氧负离了和电子的密度,同时利

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