应性能的广泛兴趣。基于对C舢、N弘、F’、P孓和S2。对锐钛矿型Ti02中02。进行取代掺杂的理论计算结果,研究者认为,N的2p能级能够与O的2p能级相杂化,致使材料禁带宽度变窄,S2’的掺杂虽然有同样效应,但其离子半径较大,难以对02。发生取代。研究者通过高温67嘲NH3几缸气氛处理(600℃,3h)和40%N矾缸溅射并550℃下煅烧4h两种方法对Ti02进行了N弘掺杂;光催化实验表明,掺N弘样品在紫外光下活性与纯Ti02者相近,而在可见光下前者仍对降解乙醛和亚甲基蓝有显著的活性。shahed等人【24】通过控制cH4和02流量,以大约850℃的火焰灼烧0.25rnm钛片,获得了真正意义上的C4。掺杂Ti02膜CM.Ti02。XI①衍射谱图显示,掺杂膜中Ti02主要以金红石形式存在,谱图中没有出现TiC的衍射峰;xPS结果表明,所制备的改性膜的Ti02组成可表达为Ti01.85Co.15。在光吸收性能方面由uV-Ⅵs实验证实CM.Ti02对可见光有明显的吸收,并具有两个吸收带边,分别位于440和535nm,对应2.82和2.32eV的禁带宽度。CM—Ti02可在150w氙灯照射下光解水,并按照2:1的摩尔比生成H2和02。尽管上述研究已显示出了阴离子掺杂在赋予Ti02等半导体可见光响应性能方面的若干优势,所得到的可见光催化活性还比较低,在制备方法上也比较单一。而从阴离子的特性出发,许多拓展性的研究工作急需展开,如对多种阴离子掺杂光催化剂的系统研究,以及对某特定阴离子的掺杂方法、掺杂剂量、分散度等因素的考察与探索等等。1.3.5贵金属沉积的二氧化钛光催化剂贵金属修饰是将贵金属沉积于半导体表面,当金属与半导体接触后,费米能级的持平使电子从半导体向金属流动,从而通过改变体系电子分布来实现电子/空穴的分离。经贵金属修饰,光催化活性一般均有相应的提高。在目前的研究中,Pt、Pd、6
全文预览
