小。张天舒等[11】采用化学共沉淀的方法制备了系列掺cd的纳米Sn02,并系统研究了掺杂体系的热稳定性、导电和气敏性能。实验发现,Cd掺杂能大大提高纳米Sn02的热稳定性,其原因在于CdO园溶于Sn02中的量很少(Cd/Sn<0.05),大量CdO以非晶态分散在Sn02颗粒表面,减小了烧结过程中sn02之间的扩散速率及扩散量,抑制了Sn02晶粒长大。CdO掺杂对Sn02气敏性能的改善则是两方面的原因:一方面抑制了Sn02晶粒的增长(<6rlIll),另一方面CdO可能对还原性气体(尤其是C2H50H)在Sn02的表面氧化起促进作用。A.PMaciel等ll2J以柠檬酸盐和乙二醇为试剂,采用聚合前驱体煅烧法制备了纯的和Ce掺杂的纳米Sn02粒子,在550。C~1100。C范围内研究了掺杂体系尺寸和微观结构的变化。在低于1000。C时,掺杂粒子生长速率(~O.7X10-2nm/'C)远远小于纯Sn02粒子的生长速率(~4.8X10-2nm/'C),掺杂粒子粒径小于20hm,微观应力和点阵参数计算证明,此范围内的Ce4+取代Sn4+进入Sn02晶格,Ce02与Sn02形成固溶体;而当温度高于10004C后,粒子迅速增长,粒径可达60nm以上,XRD和XPS检测证明,高温可使Ce02--Sn02固溶体系分离,在SnO,表面形成富Ce层,Ce02形成新相,其模型如图1一l所示,该模型对研究其它掺杂体系也具有着借鉴意义。对纳米Sn02进行单~掺杂,除上述元素外,还有Vtl孙、Fell4】、Cu、Y、Si【15】等。另外,在对纳米sn02进行掺杂时,还有两元甚至多元掺杂,即两种或两种队上的元素对Sn02掺杂,如K.Chatterjee等【16】通过共沉淀的方式实现了Pd—Sb双组分对Sn02掺杂,0.VSafonova等[17J通过喷雾热解的方法制各了Pd—Cu混合掺杂的Sn02纳米晶。
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