Lsz).大众刊物上称晶新的产品为百万芯片(Mega-chips)。1.2.4特征图形尺寸的减小从小规模集成电路发展到今天的百万芯片,其中单个元件特征图形尺寸的减小起了覃要的推动作用。这得益于光刻和多层连线技术的极大提高。半导体工业协会(SIA)4人连理工人学硕士学位论文预期到2012年特征图形尺寸会减小至50纳米(0.05微米)。元件尺寸的减小所带来的好处是电路密度的增加。图1.2现代工艺得到的刻蚀样貌Fig.1.chingtechnology特征尺寸的减小和电路密度的增大带来了很多益处。在电路的性能方面是电路速度的提高,传输距离的缩短和单个器件所占空间的减小使得信息通过芯片时所用的时间缩短,这种更快的性能使那些曾经等待计算机来完成一个简单工作的人受益非浅。电路密度的提高还使芯片或电路耗电量更小,要小型电站来维持运行的ENIAC已被靠使用电池的功能强大的便携式电脑所取代。为了满足现在和将来对集成电路越来越苛刻的要求,加强对刻蚀的基本过程的理解是很重要的。1.25研究方法湿法化学腐蚀得到的微机械结构的厚度可达整个硅片的厚度,具有较高的机械灵敏度,但对高精度图形,特别是侧面垂直度要求严格者,存在难以准确控制横向尺寸精度及器件尺寸大等缺点,因此难以达到预期效果。而采用反应离子、等离子体刻蚀等于法刻蚀,则可实现较高的刻蚀精度,并使微机械加工所得到的外形不受基片的晶向控制,尤其利用高密度等离子体刻蚀设备进行干法刻蚀还可得到比较理想的高深宽比的硅槽离子刻蚀实际上是一种以化学反应为主的刻蚀工艺,它利用气体的离子体生成物或溅射进行刻蚀,刻蚀步骤和反应离子刻蚀装置见图1.3,被刻蚀试件放在阴极板上,射频(RF)电源作为阴极电源,使充入的惰性气体离子化。刻蚀过程中既有离子轰击效应(作用是促进化学反应进行),又有活性游离基与被刻蚀试件的化学反应,因此可达较高的刻蚀速率,并得到较垂直的侧面轮廓。
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