SOI专利技术综述

结和展望随着SOI技术的不断发展,SOI技术已经成为决定器件发展的核心技术,而涉及SOI技术的专利申请和授权量呈现大幅增长,已经成为半导体领域跨国公司进行专利布局的重点。IBM、SOITEC、东芝等国际跨国公司在各自擅长的技术领域拥有众多的涉及核心技术的专利,并实现了产业化应用。目前,以中科院为代表的研究院所的技术主要集中在第一代的SIMOX技术研究上,虽然拥有一定数量的专利,但离产业化应用存在很大差距,在第二代BESOI、第三代Smart Cut技术上与国外存在很大差距。国内院所、企业应该进一步加强新技术的研究、加强专利布局和产业应用,促进我国半导体产业的长期发展。参考文献:[1]Sorin Cristoloveanu. Introduction to silicon on insulator ma?terials and devices[J].Microelectronic engineering.1997,39:145-154.[2]Wang Xi,Chen Meng, et al.Novel approaches for low costfabrication of SOI[J].Current Applied Physics,2001,1:225-231.[3]古美良,胡明.SOI技术及其发展和应用[J].压电与声光.2006,(2):236-239.[4]Aspar B,Bruel,et al.Basic mechanisms involved in thesmart-cut process[J].Micro Eng,1997,(36):233-240.[5]陈猛,王一波.SOI材料的发展历史、应用现状与发展新趋势(上)[J].中国集成电路.2007,(7):75-79.[6]陈昕.SOI技术的发展思路[J].电子器件.2010,33(2):193-196.66